UJT & BJT
1. Unijunction Transistor (UJT) merupakan sebuah
Komponen semikonduktor yang terdiri atas hubungan PN. Type P dihubungkan dengan
emiter sedangkan Type N membentuk Base B1 dan B2. Komponen ini dikenal dengan
nama “Dioda dua Basis”. Bahan dasar terbuat dari silikon. Gambar a menunjukkan
susunan dasar UJT. Kira-kira ditengah batang silikon (material Type N)
terdapatlah meterial P ini akan bekerja sebagai emiter E, jadi terdapatlah
junction PN pada batangan tersebut.
SIFAT DASAR UJT
Transistor ini dapat dipandang sebagai suatu pembagi
tegangan yang terdiri dari dua buah tahanan yang berderet yaitu RB1 dan RB2
(lihat Gambar.). Adapun pertemuan PN bekerja sebagai Dioda. (lihat pelajaran
yang lalu). Dioda akan menghantar / Konduksi bila diberi tegangan bias maju
(Forward Bias), sebaliknya Dioda tidak akan menghantar bila diberi tegangan
bias mundur (Reverse Bias).
PRINSIP KERJA UJT
Prinsip kerja UJT tak ubahnya
sebagai saklar Input dari jenis Transistor, ini diambil dari Emitor yang
mempunyai tahanan dan tahanan ini dengan cepat menurun nilaianya jika tegangan
Input naik sampai level tertentu.
Cara Kerja UJT
Perhatikan Gambar, antara terminal-terminal B1- B2 kita
beri tegangan UB1 B2 = 9 Volt. Maka terjadilah pembagian tegangan antara RB1
dan RB2, Dioda tidak bekerja. Mula-mula tegangan catu pada Emiter sama dengan
nol, maka Dioda Emiter berada dalam keadaan Reverse bias. Bila tegangan ini
diperbesar maka UE akan ikut bertambah besar,tetapi Emiter tetap tidak akan
menghantar sebelum UE>U1 + UK. UK = Knee Voltage dari Dioda tersebut.
Setelah UE>U1+ UK, maka Dioda dalam keadaan Forward
bias dan dia mulai menghantar. Oleh karena daerah P mendapat doping yang berat
sedangkan daerah N didoping ringan, maka pada saat forward bias banyak hole
dari daerah P ini yang tidak dapat berkombinasi dengan elektron bebas dari
daerah N.
Hole-hole tersebut akan merupakan suatu pembawa muatan
positip pada daerah basis 1 (B1). hal ini menyebabkan tahanan RB1 pada daerah
basis turun hingga mencapai suatu harga yang kecil sekali, sehingga dapat
dikatakan antara Emiter dan basis 1 (B1) terjadi hubung singkat. Dari sini
jelas bahwa dioda Emitor pada UJT berfungsi sebagai saklar dan saklar ini akan
tetap tinggal tertutup selama arus Emitor masih lebih besar dari suatu harga
tertentu yang disebut “Valley Current”
2. BJT
(Bipolar Junction Transistor) tersusun atas tiga material semikonduktor
terdoping yang dipisahkan oleh dua sambungan pn. Ketiga material semikonduktor
tersebut dikenal dalam BJT sebagai emitter, base dan kolektor (Gambar 1).
Daerah base merupakan semikonduktor dengan sedikit doping dan sangat tipis bila
dibandingkan dengan emitter (doping paling banyak) maupun kolektor
(semikonduktor berdoping sedang). Karena strukturnya fisiknya yang seperti itu,
terdapat dua jenis BJT. Tipe pertama terdiri dari dua daerah n yang dipisahkan
oleh daerah p (npn), dan tipe lainnya terdiri dari dua daerah p yang dipisahkan
oleh daerah n (pnp). Sambungan pn yang menghubungkan daerah base dan emitter
dikenal sebagai sambungan base-emiter (base-emitter junction), sedangkan
sambungan pn yang menghubungkan daerah base dan kolektor dikenal sebagai
sambungan base-kolektor (base-collector junction).
Gambar 1. Dua Jenis Bipolar Junction Transistor (BJT)
Gambar 2
menunjukkan simbol skematik untuk bipolar junction transistor tipe
npn dan pnp. Istilah bipolar digunakan karena adanya elektron dan
hole sebagai muatan pembawa (carriers) didalam struktur transistor.
Gambar 2.
Simbol BJT tipe npn dan pnp
Prinsip Kerja Transistor
Gambar 3 menunjukkan rangkaian kedua jenis
transistor npn dan pnp dalam mode operasi aktif transistor sebagai amplifier.
Pada kedua rangkaian, sambungan base-emiter (BE) dibias maju (forward-biased) sedangkan
sambungan base-kolektor (BC) dibias mundur (reverse-biased).
Gambar 3.
Forward-Reverse Bias pada BJT
Sebagai gambaran dan ilustrasi kerja
transistor BJT, misalkan pada transistor npn (gambar 4). Ketika base
dihubungkan dengan catu tegangan positif dan emiter dicatu dengan tegangan
negatif maka daerah depletion BE akan menyempit. Pencatuan ini akan mengurangi
tegangan barrier internal sehingga muatan mayoritas (tipe n) mampu untuk
melewati daerah sambungan pn yang ada. Beberapa hole dan elektron akan
mengalami rekombinasi di daerah sambungan sehingga arus mengalir melalui device
dibawa oleh hole pada base(daerah tipe-p) dan elektron pada emiter (daerah
tipe-n ). Karena derajat doping pada emiter (daerah tipe n) lebih besar
daripada base (daerah tipe p), arus maju akan dibawa lebih banyak oleh
elektron. Aliran dari muatan minoritas akan mampu melewati sambungan pn sebagai
kondisi reverse bias tetapi pada skala yang kecil sehingga arus yang timbul pun
sangat kecil dan dapat diabaikan.
Elektron banyak mengalir dari emiter ke
daerah base yang tipis. Karena daerah base berdoping sedikit, elektron pada
hole tidak dapat berekombinasi seluruhnya tetapi berdifusi ke dalam daerah
depletion BC. Karena base dicatu negatif dan kolektor dicatu positif (reverse
bias), maka depletion BC akan melebar. Pada daerah depletion BC, elektron yang
mengalir dari emiter ke base akan terpampat pada daerah depletion BC. Karena
pada daerah kolektor terdapat muatan minoritas (ion positif) maka pada daerah
sambungan BC akan terbentuk medan listrik oleh gaya tarik menarik antara ion
positif dan ion negatif sehingga elektron tertarik kedaerah kolektor. Arus
listrik kemudian akan mengalir melalui device.
Sumber : http://becmandiri09.blogspot.co.id/2011/06/unijunction-transistor.html
https://tanotocentre.wordpress.com/2010/10/26/bipolar-junction-transistor-bjt/